无压烧结立方氮化硼刀具
无压烧结立方氮化硼刀具
立方氮化硼(CBN)是最简单的III-V族人工合成材料，它不仅化学稳定性好、耐高温．而且具有最大禁带宽度和高热导率，可以掺杂成n型和p型半导体材料。cBN材料具有优异的电学和光学性能。高质量大尺寸cBN单晶合成非常困难，这在较大程度上限制了cBN材料以单晶形式的直接应用。本课题采用Al、Si及其合金为结合剂，常压烧结cBN单晶微粉，研究了不同体系结合剂对立方氮化硼多晶材料烧结和性能的影响。试验中采用X射线衍射、X射线能谱、扫描电子显微镜等分析手段进行物相组成和显微结构分析，采用高阻仪和荧光光谱仪分析了多晶材料的电学和光学性能。
实验结果表明在相同温度下，cBN多晶材料的的相对密度随着结合剂含量的增加而升高。Al与cBN在烧结过程中发生液相参与的化学反应，反应生成AIN
和AIB12新物相，存在于Al与cBN的界面：Si与cBN在所考察的温度范罔不与cBN反应。硅铝合会在低温下出现液相，能够很好解决添加Si出现的体积膨胀问题，起到促进烧结的作用。cBN多晶材料的体电阻率达到l09Q／cm．由于空间电荷限制效应，cBN多晶材料的电阻随着测试电压的升高变化很大。Al-Si-cBN材料的介电带数大，介电损耗低。不同体系的cBN多晶材料发光强度均随烧结温度升高而增强。在200nm和250nm激发下可以观察到350nm、97nm、450nm、467nm等多个发光峰。347.8nm和367nm的发光峰是由问隙B原子引起的．400nm到470nm的发光峰是由cBN内部声子振动引起的。Al-Si-cBN在波长460nm、520nm激发下分别观察到501nm和556nm附近的单一发光峰，这是由cBN内部B原子和N原子复合空位引起的。
声明：本网站所收集的部分公开资料来源于互联网，转载的目的在于传递更多信息及用于网络分享，并不代表本站赞同其观点和对其真实性负责，也不构成任何其他建议。本站部分作品是由网友自主投稿和发布、编辑整理上传，对此类作品本站仅提供交流平台，不为其版权负责。如果您发现网站上所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请第一时间告知，我们将根据您提供的证明材料确认版权并按国家标准支付稿酬或立即删除内容，以保证您的权益！联系电话：010-58612588 或 Email:editor@mmsonline.com.cn。
- 暂无反馈
