我国成功研制3英寸碳化硅单晶

        一块月饼样大小，硬度仅次于金刚石的灰色的晶体块，这就是晶体材料国家重点实验室刚刚出炉的3英寸碳化硅单晶。该实验室宣布，这是我国在研制2英寸碳化硅单晶获得成功以来，在大直径碳化硅单晶研究方面取得的又一突破性进展。 
                  　　 
         我国在“十五”期间获得2英寸碳化硅单晶，但更大直径的生长技术进展缓慢。在国家“863”计划支持下，山东大学晶体材料国家重点实验室依靠2英寸碳化硅单晶小批量产业化基础，首先利用理论计算，对大直径单晶的温场进行模拟，不断试验优化设计，最终在2000℃高温和真空的环境下，成功生长出3英寸碳化硅单晶。

       自然界的晶体以绚烂的色彩赢得人们的喜爱，不仅如此，还具有奇异的物理性能：能够实现光、电、磁、热、声和力的相互作用和转换，是电子器件、半导体器件、固体激光器件的重要材料。据了解，从19世纪末开始，人们用各种方法来探索如何生长晶体，碳化硅单晶就是人工晶体科学中熠熠生辉的一颗明珠。它被称为第三代半导体材料，目前美国的碳化硅单晶直径达到4英寸，处于国际领先地位。
           

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