三安光电将投资333亿元加码LED芯片及半导体产业项目

12月5日晚，三安光电发布公告称，公司与福建省泉州市人民政府和福建省南安市人民政府签署《投资合作协议》，拟在福建省泉州芯谷南安园区投资注册成立一个或若干项目公司。在业内人士看来，公司此次投资是在LED行业持续向好背景下的进一步扩产之举。

根据公告，该投资合作协议议案已获公司第九届董事会第五次会议（2017年12月5日）审议通过。根据协议约定，此次投资总额高达333 亿元（含公共配套设施投资）。财报显示，截至今年三季度末，公司的货币资金为45．41亿元。

三安光电透露，全部项目将在5年内实现投产，7年内全部项目实现达产，经营期限不少于25 年。达产后，年销售收入约270 亿元（按当前产品单价计算）。公告显示，产业化项目包括：高端氮化镓LED衬底、外延、芯片的研发与制造产业化项目；高端砷化镓LED外延、芯片的研发与制造产业化项目；大功率氮化镓激光器的研发与制造产业化项目；光通讯器件的研发与制造产业化项目；射频、滤波器的研发与制造产业化项目；功率型半导体（电力电子）的研发与制造产业化项目；特种衬底材料研发与制造、特种封装产品应用研发与制造产业化项目。

三安光电表示，公司主要从事III－V族化合物半导体材料的研发与应用，着重于砷化镓、氮化镓、碳化硅、磷化铟、氮化铝、蓝宝石等半导体新材料所涉及到外延、芯片核心主业，努力打造具有国际竞争力的半导体厂商。

在谈及此次投资的影响，公司表示，本次投资项目属于国家着力打造的新兴战略性产业，具有节能环保等特点，符合公司产业发展方向和发展战略，目的是把主业做大做强做精，可充分发挥公司产业协同效应，丰富公司产品类别，大力提升公司产品附加值，延伸公司产业链，有利于进一步扩大公司产能，巩固公司行业地位，继续提升市场占有率，开拓新的应用领域，打造具有全球影响力的化合物半导体企业。

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