大陆半导体强势逆袭 登半导体二哥宝座可期

大陆强力提升芯片自制率政策，吸引全球半导体大厂纷齐聚大陆盖12吋厂，三星电子(Samsung Electronics)西安3D NAND厂在2016年产值已超越大陆本土的中芯国际，首次登上大陆半导体制造一哥，2016年大陆整体半导体产值达人民币4,335.5亿元(约新台币1.95兆元)，相较于台湾产值新台币2.43兆元已是一步之遥，面对大陆猛烈追赶态势，业界忧心台湾在全球仅次美国的半导体二哥地位，恐将被大陆一举超越。

大陆这一波半导体产业崛起，从产业政策、中央和地方资金、半导体人才等全数到位，全球半导体大厂纷到大陆设厂，2016年大陆前十大半导体制造晶圆厂中，外资企业占5成，包括三星、SK海力士(SK Hynix)、英特尔(Intel)、台积电、联电，未来3年内还有台积电南京12吋厂、联电厦门12吋厂、GlobalFoundries成都12吋厂加入大陆生产行列。

三星凭藉3D NAND技术及市场优势，2016年西安厂产值达人民币237.5亿元，一举超越中芯产值人民币202.2亿元，首度登上大陆半导体制造一哥，台积电在大陆排名第七大，预计南京厂将在2018年量产，该座厂产能虽不大，但集中火力在16纳米高阶制程，产值相当可观，可望让台积电在大陆半导体厂排名大跃进。

值得注意的是，大陆2016年半导体总产值约新台币1.95兆元，对照台湾2016年半导体产值约2.43兆元，台湾赢得十分惊险，保住全球第二大半导体经济体地位，仅次于美国，但在大陆猛烈追赶下，难保未来三年内大陆不会取代台湾半导体二哥地位。

台积电全球年营收高达新台币8,434.97亿元，但大陆比重仍十分低，待瞄准16纳米高阶制程的南京12吋厂量产后，可望挤入大陆前五大半导体大厂，至于联电厦门12吋厂则将以28纳米制程加入大陆高阶制程战局，台厂布局大陆十分积极。

2016年大陆IC设计产值为人民币1,644.3亿元，年增率为24.1%，其中以海思为首，年营收贡献为人民币260亿元，其次为清华紫光展锐年营收规模约人民币125亿元，第三名中兴微电子年营收约人民币56亿元，大陆IC设计公司规模与台湾IC设计龙头联发科距离仍十分遥远。

另外，根据大陆海关统计，2016年大陆半导体进口金额约2,270.7亿美元，年减1.2%，出口半导体金额约613.8亿美元，减少11.1%。

事实上，国际半导体大厂早在2000年之前便十分盛行在大陆盖晶圆厂，包括日本NEC、美国摩托罗拉(Motorola)、荷兰飞利浦(Philips)等，但当时并没有找出好的商业模式，因此并未成功。

这次由大陆官方强力主导成立半导体产业发展基金，加上各地方政府也成立多个扶植基金，这一波大陆半导体强势逆袭，台湾业者已看出严重性，纷期待政府尽速拿出因应对策。

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