汇集天时、地利、人和 打造中国存储器中“芯”

【编者按】3月28日，总投资240亿美元(约1600亿元人民币)的国家存储器基地项目，在武汉东湖高新区奠基启动。这是湖北省建国以来最大单体投资高科技产业项目。省委书记李鸿忠宣布项目启动。未来几年，武汉光谷东，将随着千亿项目的注入，崛起一座庞大的芯片之城。240亿美元将投向何处?它将给武汉光谷、给湖北、给中国带来怎样的产业焕变? 2018年量产 240亿美元投向四大方面

 武汉新芯集成电路制造有限公司执行副总裁陈少民：
 
总投资240亿美元的国家集成电路产业项目，预计2018年量产，2020年实现月产能30万片。240亿美元将主要用于4个方面：
 
一是研发，包括工艺研发、芯片研发和系统研发。
 
二是项目基建，国家集成电路产业基地分三期建设，3月28日启动的为一期，2018年量产后，同步启动二期、三期建设。至2020年前，一、二、三期全部建成。
 
三是仪器投入。
 
四是构建全产业链，把“一棵树”变成“一片林”。
 
当产能达到30万片时，该基地员工将达1.7万人。除了以武汉新芯为核心的存储器本厂，还将在左岭规划3万人的住宅区，带来大量就业与上下游的配套。
 
围绕国家集成电路产业基地，至少将吸引几百家配套厂商入驻，包括主控芯片公司、模组公司、封装公司、测试公司等，全产业链打造。
 
2020年弯道超车 17亿颗芯片点亮湖北
 
目前，世界存储器主要使用DRAM(关机后丢失数据)和NAND(关机后保留数据)两种技术，绝大部分应用于个人电脑、服务器和智能手机。
 
关于存储器产品路径选择，到底是倾向于发展目前市场主流的内存DRAM产品，还是代表未来发展趋势的3D NAND产品，此前一直存在争论。
 
最终，湖北决定保持和国际存储器大厂同样的路线：3D NAND。
 
武汉新芯集成电路制造有限公司执行副总裁陈少民：
 
发展3D NAND立体堆叠存储技术的原因是由于在生产工艺的物理极限上，2D闪存已经无法继续突破。
 
智能手机、电脑、云计算的广泛应用，都需要大量存储。相比之下，2D闪存就像是停车场，而3D NAND则是立体停车场。新技术也比2D闪存性能更强，功耗更低，可靠性更高，将逐步取代后者。
 
去年5月，武汉新芯3D NAND项目研发取得突破性进展，第一个具有9层结构的存储测试芯片，通过存储器功能的电学验证。
 
2020年，国家集成电路基地30万片月产能中，约20万片为3D NAND存储器，10万片为DRAM存储器。一个12寸的硅片上有700颗芯片，20万片3D NAND意味着该基地2020年一年将制造出17亿颗芯片。
 
这将是湖北集成电路弯道超车的重要机会，从市场分析看，2014年全球NAND存储器有298亿美元市场，DRAM达430亿美元，中国市场巨大，但芯片和存储器长期依赖进口，自占率非常少。
 
当该基地3D NAND月产量达到30万片时，将占全球市场的11%至13%;届时中国NAND的市场，可能达到世界的一半。
 
跻身国家战略 打造中国存储器中芯
 
国家存储器项目位于东湖高新区光谷智能制造产业园，建设内容包括芯片制造、产业链配套等，计划5年投资240亿美元，到2020年实现月产能30万片，2030年实现月产能100万片。
 
存储器是信息系统的基础核心芯片。该存储器基地项目以芯片制造环节为突破口，集存储器产品设计、技术研发、晶圆生产与测试、销售于一体，将为我国打破主流存储器领域空白，实现产业和经济跨越发展提供重要支撑。
 
2006年，省、武汉市和东湖高新区共投资100亿元，在光谷建设武汉新芯12英寸晶圆制造项目。目前，武汉新芯已成为我国唯一以存储器为主的集成电路制造企业。规模达500亿元的湖北集成电路产业专属投资基金也已成立。
 
国家存储器基地项目建成后，将带动湖北省设计、封装、制造、应用等芯片产业相关环节的发展，集合以天马、华星光电为代表的显示产业，以及华为、联想、富士康为代表的智能终端产业，共同打造万亿级的“芯片-显示-智能终端”全产业链。
 
2014年，国家颁布实施《国家集成电路产业发展推进纲要(2015-2025)》，并成立国家集成电路产业领导小组和国家集成电路产业投资基金。2015年，发展存储器上升为国家战略。
 
武汉新芯CEO杨士宁博士：
 
尽管我们的存储器产业还处在起步阶段，但面临非常难得的历史机遇。去年，全球存储器市场总额达835亿美元，约占全球集成电路市场份额的25%，年均增长率约10%。
 
物联网和智能化时代的到来，使存储器变得愈发重要，大数据、云计算乃至人们生活点点滴滴的保存，都离不开存储器。在IC产业总产值中，存储器占1/3以上。
 
我国是全球最大的集成电路进口国，仅2014年进口额就高达2176.2亿美元，集成电路也是我国进口额最大的产品，其中存储器占进口额的24.9%。
 
存储器关系国家信息安全，但核心技术却被少数国际巨头垄断。中国要想在集成电路产业快速突破并打造“中国芯”，发展存储器产业是破题点，也是必由之路。
 
武汉新芯集成电路制造有限公司执行副总裁陈少民：
 
随着项目落地，目前湖北集成电路产业投入，在各省之中是最大的，这将引发虹吸效应，拉动人才、配套和上下游的集聚，将湖北打造成为中国存储器的中心。
 
回顾：十年投入百亿 不改初“芯”
 
集成电路产业是信息技术产业的核心，被称为“工业粮食”和“生死攸关的工业”。
 
在过去相当长一段时期，我国的芯片和存储器都大量依赖进口，缺“芯”少“屏”。
 
3月28日，在国家集成电路项目启动现场，一位全程参与该项目落地的负责人感慨：苦追3年，奋斗10年，这颗“芯”总算落地了。
 
作为国家级光电子产业基地，光谷早在2000年初就开始筹划发展集成电路相关产业。2006年武汉新芯诞生，这是中部地区第一条12英寸集成电路生产线项目。此前，新芯只是中芯国际旗下的一座托管工厂，没有自己的技术体系。
 
2013年，中芯国际退出运营，武汉新芯开始自主研发，组建团队自己干，由美国归来的杨士宁博士出任首席执行官，建立了自己的技术话语权。
 
过去10年，湖北省、武汉市和东湖高新区累计投入100多亿元，用于武汉新芯发展集成电路产业。尽管新芯这几年并没挣到钱，但是一直在坚持。在这个过程中，2015年年初还提前布局3D NAND存储器的研发，与三星等世界巨头是同步的。当时国家战略还未明确，武汉新芯就开始干了，由于这个基础，这个千亿项目才有可能放在武汉。

2014年，北京、上海、武汉、深圳被初步框定为4个国家集成电路基地城市。其中，北京、上海主导逻辑芯片，涵盖设计、制造、封装、测试;武汉以存储器为主，主要涵盖设计和制造;深圳是华为、中兴的所在地，有市场需求，将主要发展设计、封装和测试。
 
除了武汉，北京、合肥、厦门等城市，也曾角逐过国家集成电路项目，武汉凭借10年前的布局，最终胜出。
 
期待：未来固态硬盘只有邮票大小
 
3月28日，在“2016武汉国际储存器高峰论坛”上，湖北新生的世界级存储器基地，让海内外嘉宾充满期待。
 
美国斯坦福大学电气工程系教授黄汉森：
 
未来的固态硬盘可能只有一枚邮票大小。目前，3D NAND存储器也是美国科技攻关的主要方向。
 
随着3D NAND技术推广应用，固态硬盘将有望全面取代普通机械硬盘。目前，已有厂家把固态硬盘存储容量拓展到120GB，而尺寸仅略大于一个U盘。此外，还有科研团队把2000个存储单元连接到一个晶体管，制成了1TB(等于1024GB)存储容量的固态硬盘，为闪存设备轻量化、小型化创造了可能。
 
普通机械硬盘用的是磁碟，需要马达驱动旋转，而固态硬盘相当于一个大U盘，读取效率和稳定性大幅优于普通硬盘。
 
台湾交通大学电机工程学系教授白田理一郎：
 
现在，业界试图提高芯片功能和集成度以降低成本，中国有望在‘超越摩尔’领域赶上甚至超越世界先进水平。
 
专家：“弯道超车”考验政企执行力
 
中科院微电子研究所所长叶甜春：
 
中国集成电路应该走自主创新的发展道路。中国集成电路产业从引进仿制到以市场换技术，通过大范围的国际并购与整合后，中国的集成电路产业和技术都达到了一个新高度，现在是实现创新发展、弯道超车的大好时机。
 
武汉国家存储器基地项目启动，汇集了天时、地利、人和。“天时”是我国每年进口的芯片中有四分之一是存储芯片，产业需求存在巨大缺口;“地利”是随着国家重大专项和集成电路产业推进纲要的协同实施，经济结构转型的大背景;“人和”是武汉雄厚的科教人才优势。

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