英飞凌新一代MOSFET可减少50%的开关损耗

【编者按】英飞凌科技股份公司推出全新的CoolMOS™C7系列超结（SJ）MOSFET家族。该600V系列相比CoolMOS™CP可减少50%的开关损耗，CoolMOSC7可使PFC和LLC拓扑的效率分别提高0.3%-0.7%和0.1%，这有利于显著降低总拥有成本。对于2.5kW的服务器PSU，使用C7600VMOSFET可将因PSU能量损失导致的能源成本降低10%左右。

德国慕尼黑—英飞凌科技股份公司推出全新的CoolMOS™C7系列超结（SJ）MOSFET家族。该600V系列相比CoolMOS™CP可减少50%的开关损耗，在PFC、TTF和其他硬切换拓扑结构中可实现和GaN类似的性能水平。CoolMOSC7在业内率先实现1Ω/mm2的面比电阻（R DS(ON)*A），它进一步扩展了英飞凌的最低每封装R DS(ON)产品组合，可支持客户进一步提高功率密度。全新CoolMOS系列具备超低开关损耗，适合大功率开关电源（SMPS）应用——比如服务器、电信、太阳能——以及需要提高效率、降低组件成本（BoM）和总拥有成本（TCO）的工业应用。

CoolMOSC7可降低超大型数据中心和电信基站等要求提高效率和降低TCO的应用的开关损耗。CoolMOSC7可使PFC和LLC拓扑的效率分别提高0.3%-0.7%和0.1%，这有利于显著降低总拥有成本。对于2.5kW的服务器PSU，使用C7600VMOSFET可将因PSU能量损失导致的能源成本降低10%左右。

在企业服务器等关注组件和其他成本的应用中，CoolMOSC7600V器件可帮助降低磁性元件成本。由于栅极电荷和输出电容显著降低，C7的开关频率是CoolMOS™ CP的两倍，但效率仅稍逊于CoolMOS™ CP。这有助于最大限度缩小磁性元件尺寸，降低组件总成本。比如，开关频率从65kHz增大一倍至130kHz时，磁性元件成本可降低30%之多。

CoolMOSC7600V家族产品将在两个300毫米晶圆厂制造，可为客户提供供货保障。该家族产品囊括R DS(ON)值和封装各不相同的众多型号，首发型号包括采用极具创新性的TO-2474管脚封装的型号。这种4管脚封装它可消除因快速瞬变导致的电源电感电压降，从而将满载效率最多提高0.4%。

英飞凌副总裁兼AC/DC产品线总经理PeterWawer表示：“作为英飞凌高压MOSFET产品组合的一部分，全新CoolMOSC7600V家族是英飞凌预计2016年初推出的GaN器件的重要‘奠基石’。依托已实现批量生产的现成、可靠的技术，CoolMOSC7器件可最大限度降低开关损耗，实现高达200kHz的开关频率，而英飞凌的GaN技术将进一步扩大频率范围，支持新型拓扑。”

与CoolMOSC7600V形成互补、搭载行业标准管脚的英飞凌全新2EDN7524 EiceDRIVER™ IC，拥有两个独立的非隔离式低侧栅极驱动器，每个驱动器可支持5A的源汇峰值电流。两个通道都能实现典型的5ns上升和下降时间，而1ns的通道间延时匹配方便设置同步切换，使总驱动电流增加一倍。虽然电流增大，但输出级的R DS(ON)非常低，这可最大限度降低驱动器的功耗——即便使用非常小的栅极电阻、或者不用任何外部栅极电阻。因为驱动器IC能兼容控制和启用输入端高达-10 V DC的电压，所以它能有效应对接地反弹，提高系统可靠性。

声明：本网站所收集的部分公开资料来源于互联网，转载的目的在于传递更多信息及用于网络分享，并不代表本站赞同其观点和对其真实性负责，也不构成任何其他建议。本站部分作品是由网友自主投稿和发布、编辑整理上传，对此类作品本站仅提供交流平台，不为其版权负责。如果您发现网站上所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请第一时间告知，我们将根据您提供的证明材料确认版权并按国家标准支付稿酬或立即删除内容，以保证您的权益！联系电话：010-58612588 或 Email:editor@mmsonline.com.cn。