东京大学研制出1.3m量子点激光二极管

　　近日，日本东京大学研制出了键合在硅基底上的1.3m量子点（QD）激光二极管。光子电路通常以硅为基底，但目前的光源通常采用化合物半导体研制。特别是，研究人员正在寻求大温度范围下稳定工作的器件，以实现更高的工作温度。东京大学的器件是采用硅掺杂部分P型砷化镓（GaAs）壁垒结合自行聚合砷化铟（InAs）形成量子点，以构建激光二极管的有源发光区域，再将这些器件键合到硅基底上。

　　有源区域由8层P-GaAs壁垒中自行聚合的InAs 量子点结构组成。每层的点密度为6×1010/cm2。试验中对直接和金属介导两种键合工艺进行了测试，两种工艺研制的器件均可在超过100℃的条件下发射1.3m（光通信的O波段）的激光。这些结果证实了，采用晶圆键合工艺研制的硅上III-V族量子点激光器有望在高密度光子集成电路中实现温度稳定的运行。

声明：本网站所收集的部分公开资料来源于互联网，转载的目的在于传递更多信息及用于网络分享，并不代表本站赞同其观点和对其真实性负责，也不构成任何其他建议。本站部分作品是由网友自主投稿和发布、编辑整理上传，对此类作品本站仅提供交流平台，不为其版权负责。如果您发现网站上所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请第一时间告知，我们将根据您提供的证明材料确认版权并按国家标准支付稿酬或立即删除内容，以保证您的权益！联系电话：010-58612588 或 Email:editor@mmsonline.com.cn。