美研制出单原子开关 可制造高容量节能内存

美国俄勒冈波特兰市的“Nanoscale 科学与技术研究中心”宣布，他们已经开发出一种单原子开关，可以用来制造高容量内存。

这种开关是在一个钴原子末端链接铜原子组成。当微弱的电流通过这种开关时，它在结构上会改变其物理方位，但仍保持与铜原子的依附关系，就好像不受电流影响一样。

对这种开关的测试显示，它能够保持双稳态，也就意味着当给予持续的常量输入时，它能够保持两种截然不同的两种状态。

当前开发出的这种钴原子开关，看起来似乎并不需要输入电流来维持其双稳态。这就意味着这种开关可以用于非常规内存，能够用于制造闪存以及磁硬盘存储器，但它具有相当高的容量。

这种开关的最大转换速度看起来还比较慢；最初的测试最大速度约为20千赫兹，但随着今后几年内原子制作工艺的提高，这种开关的转换速度也可能被优化到最佳。

改变状态需要的功耗也很小，大约为15pW的功耗，就能转化大约相当于120mW 开关转换1GB 字节所需能量。

它可能比常规内存逻辑单元更加节能，能够连续追踪连接内存单元，由于它维持状态并不需要电流，这也使得它更像一个几乎不耗电的原子内存设备。

不幸的是，这种技术距离成品生产还有很长的时间。

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